內容介紹：
相變記憶體(Phase Change Memory)，一個非揮發性電腦記憶體也被稱為PRAM、PCM 和 PCRAM，是一個新穎且未來前景看好的技術。 PRAM 使用具有獨特行為的硫化玻璃，當您給予特定應用的熱能，可以使它在結晶和無定形兩個狀態之間切換。最近的技術還可以再增加兩個不同的狀態，有效地讓它的儲存容量加倍。
這個研討會將提供物理原理和PRAM記憶體元件操作的基本資料。內容包括元件一般特性和測量技術的近況與比較，其中的R - Load方法和技術就是採用吉時利ultra-fast IV量測機台。
目標聽眾：這次研討會主要建議測試工程師和測試工程經理，其目前將新進入PRAM記憶體的測量，但對於有相關經驗的人員也會有相當的幫助。