內容介紹：儘管快閃記憶體已經是成熟的技術，但是如多層單元（MLC）等不斷發展，旨在實現更高的密度。同時，也出現新的量測技術和功能，以用於開發的單顆電晶體特性分析到快閃記憶體生產的整合及自動化方案。
本期網絡研討會中會先回顧快閃記憶體技術測試基礎，包含討論穿隧效應(Fowler-Nordheim)和熱電子注入(Hot Electron Injection)寫入和抹除。接著討論用於單顆快閃電晶體和快閃陣列測試的不同面向，包括標準電晶體特性分析、耐久性和干擾測試。同時也討論MLC測試的脈衝精確度的要求。這些應用的驗證將使用吉時利最新超快速I-V測試方案，其提供最佳脈衝波形和振幅的控制，完全適合於MLC快閃記憶體測試，並使用吉時利ACS軟體來管理一系列的測試實驗。
目標聽眾:
本期網絡研討會適合想了解快閃記憶體測試設定和尋求測試方案的朋友參加。

內容介紹：該網路研討會探討在元件和製程技術領域中日益重要的超快速電流電壓（I-V ）特性分析。常見的應用包括非揮發性記憶體元件技術（NVM），如快閃和相變化記憶體，絕緣層上覆矽(SOI)元件和複合半導體的等溫特性分析，以及新材料的瞬態特性分析，例如高介電材料。
超快速I-V元件特性分析基本原理將重點說明其量測硬體和設定，包括電纜到探針台的連接。同時也討論標準的測試設定和常見的誤差來源。最後，將提供一些元件量測的應用實例。
目標對象：
研究材料、製程和元件特性分析的學生，研究人員和工程師
想瞭解這個實用的量測技術的實驗室管理者
從事元件和材料可靠度研究的工程師 (如晶圓可靠度、靜電放電、閉鎖效應等)

內容介紹：相變記憶體(Phase Change Memory)，一個非揮發性電腦記憶體也被稱為PRAM、PCM 和 PCRAM，是一個新穎且未來前景看好的技術。 PRAM 使用具有獨特行為的硫化玻璃，當您給予特定應用的熱能，可以使它在結晶和無定形兩個狀態之間切換。最近的技術還可以再增加兩個不同的狀態，有效地讓它的儲存容量加倍。
這個研討會將提供物理原理和PRAM記憶體元件操作的基本資料。內容包括元件一般特性和測量技術的近況與比較，其中的R - Load方法和技術就是採用吉時利ultra-fast IV量測機台。
目標聽眾：這次研討會主要建議測試工程師和測試工程經理，其目前將新進入PRAM記憶體的測量，但對於有相關經驗的人員也會有相當的幫助。

內容介紹：這個研討會是設計為介紹電容電壓測試這個主題，主要為其與半導體元件及材料特性的關聯。電容電壓測試普遍被使用來決定半導體參數，如摻雜濃度分布、介面能階密度、起始電壓、氧化物電荷、和載子生命期。
與會者將瞭解：
1. 什麼是電容電壓測試？
2. 哪些種類的元件可以使用電容電壓測試來測量？
3. 誰能使用電容電壓測試？
4. 電容電壓測試的挑戰
目標聽眾：
新接觸半導體材料及元件測試的工程師，想要更新測試方法知識的製程及元件工程師，特性實驗室經理。

內容介紹：本研討會將說明低電流（從nA到fA）電性測試的基本知識，包括如何選擇正確的電流量測儀器，有效降低測試設置電流雜訊的方法，以及如何找出不易察覺的雜訊來源。這些最佳測試方法對於半導體材料/元件特性，奈米科學測量，光電元件特性以及許多的應用都很重要。需要如此靈敏測量的應用範例將會討論，同時也有目前創新的測試設備方案。
與會目的：
透過參加本研討會，您將學會並了解：
1. 測量非常低電流所需的測試技巧
2. 會影響如此低電流測試的測量誤差來源
3. 在低電流測量應用中可使用的測量方案
目標聽眾：
本研討會建議給想更了解低電流的學生，研究者，工程師，以及材料科學，化學，奈米科學，和半導體元件開發這些領域的科學家來參加。

內容介紹：此次的線上研討會將展示PADS 9.0是如何幫助您快速和精準地設計高速電路。透過在易於使用的整合流程中整合了業界最流行的EDA工具，將可改善高速設計效率。
在這場研討會中，我們所介紹的工具能為您帶來的幫助有：
  •  定義高速設計約束條件
  •  擷取原理圖工具內部佈局的高速規則
  •  交互使用自動佈線工具，根據工程規則來安置高速網的線路
  •  驗證劃定線路的高速網能否符合指定要求
您將瞭解到：
  •  PADS工具如何能在佈局前和佈局後幫助您分析高速設計
  •  PADS工具如何能簡化高速網的佈線過程，以滿足設計約束條件

內容介紹：晶片的反向工程(Reverse Engineering;RE)又名晶片的反向設計或逆向設計，旨在將市場上現有的產品進行晶片剖析與拍照，以取得晶片各佈局層次的圖解，然後參照圖解背景把原晶片的網表或電路圖擷取而出，並對電路進行層次化整理分析，以理解原晶片設計技巧或設計思路的一種方法。目前這種方法已被廣泛應用在IC競爭性分析和專利分析研究領域。
然而，隨著晶片製程的不斷微縮，在進入180nm及更先進製程節點後，晶片無論在製程或設計方法上都呈現多樣化，因此晶片RE在解析、軟體工具和方法學上都面臨著巨大的變革挑戰。